| 品牌 | 昊量光電 | 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
超分辨量子顯微鏡 (3D磁電流顯微鏡）
提供一種用于異構(gòu)集成和封裝失效分析的超分辨率量子顯微鏡系統(tǒng)。該技術(shù)利用高靈敏度磁電流成像（MCI）提取多層信息，可深入查看集成電路內(nèi)芯片堆疊的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。
超分辨量子顯微鏡（3D磁電流）產(chǎn)品特點(diǎn)：
疊層失效的橫向和深度定位
高橫向/深度分辨率（分別低至200 nm和1μm）、寬視場（高達(dá)4 mm）的3D磁成像能力使我們能夠?yàn)椴煌瑢觿?chuàng)建電流圖像，識(shí)別短路和真正的開路。
樣品制備簡單
由于磁場可不受影響地穿過cmos材料，因此需要的樣品制備只是de-capping。
強(qiáng)大的QD軟件
軟件利用專門開發(fā)的機(jī)器學(xué)習(xí)和后處理算法，可在幾分鐘內(nèi)獲得結(jié)果。
室溫、環(huán)境條件、穩(wěn)健運(yùn)行
無需特別條件即可輕松識(shí)別故障。
1. TOP image 顯示了一個(gè)樣品的磁場圖，其中3個(gè)不同層同時(shí)位于不同深度的活動(dòng)電流。層間距為85μm。
2. Left column（灰色）顯示了從總圖像中提取的各個(gè)單獨(dú)層。
3. Right column（藍(lán)色）顯示了產(chǎn)生磁場的各個(gè)層內(nèi)提取的電流。
超分辨量子顯微鏡（3D磁電流）參數(shù)指標(biāo)：
系統(tǒng)參數(shù)
| 側(cè)向分辨力（xy) | 達(dá)200nm |
| 深度分辨力（z) | 達(dá)1um |
| 視場范圍 | 達(dá)4mm×4mm |
| 基底噪聲 | 150nT (DC) （AC可達(dá)10nT） |
| 頻率范圍 | DC-4GHz (AC) |
| 靈敏度 | 10 μT/√Hz （DC），1 nT/√Hz （AC） |
| 測量時(shí)間 | 5-10min (type) |
一般規(guī)格
| 系統(tǒng)尺寸（W x L x H) | 0.7 m x 0.7 m x 1.7 m |
| 系統(tǒng)重量 | ~350kg |
| XYZ位移臺(tái) | 300mm x 300 mm x 20 mm (行程） |
| 功耗 | 2 kW (max ) |
| 制冷方式 | 風(fēng)冷 |
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